Die Ionen-Feinstrahlanlage (FIB) ist ein Instrument, das ein Rasterelektronenmikroskop (REM) mit einem fokussierten Ga-Ionenstrahler kombiniert. Mit dem Ionenstrahl kann durch Ionenimplantation eine lokale Ver?nderung der strukturellen und damit auch anderen Eigenschaften der Probenoberfl?che bewirkt werden. Damit k?nnen auch periodische Muster gezeichnet werden, in denen dann z.B. die magnetische Anisotropie ver?ndert wird.

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Durch ein Erh?hen der Energie und Fluenz des Ionenstrahls ist auch ein Abtragen der Probenoberfl?che im bestrahlten Bereich und anschlie?ende Untersuchung der neu freigelegten Oberfl?che m?glich. Ein wiederholtes Vorgehen erlaubt dann eine dreidimensionale Rekonstruktion der Probe (FIB-Tomographie), allerdings wird der bestrahlte Bereich der Probe dabei zerst?rt. Diese ?tztechnik kann auch zur Pr?paration von dünnen Lamellen zur TEM-Untersuchung benutzt werden.

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Druch ein Gaseinlassystem (Gas Inlet System - GIS) kann in der N?he der bestrahlten Stelle eine Gasatmosph?re erschaffen werden, ohne das generelle Vakuum der Anlage negativ zu beeinflussen. Je nach Energie des Elektronen- oder Ionenstrahls kann damit eine Deposition des eingelassenen Materials oder eine erh?hte ?tzrate an der bestrahlten Stelle erreicht werden. Für die Deposition stehen Pt und SiO_x, für das ?tzen MgSO₄-H₂O zur Verfügung.